Interplay between the magnetic and transport properties in the III-V diluted magnetic semiconductor<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ga</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mi>−</mml:mi><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Mn</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">As</mml:mi></mml:math>
Using a low-temperature molecular-beam epitaxy growth procedure, ${\mathrm{Ga}}_{1\ensuremath{-}x}{\mathrm{Mn}}_{x}\mathrm{As}$ --- a III-V diluted magnetic semiconductor --- is...